Запуск нового продукта – многопиковая лазерная диодная матрица с быстрой осевой коллимацией

Подпишитесь на наши социальные сети для получения оперативных публикаций

Введение

Благодаря быстрому прогрессу в теории полупроводниковых лазеров, материалах, производственных процессах и технологиях упаковки, а также постоянному улучшению мощности, эффективности и срока службы, мощные полупроводниковые лазеры все чаще используются в качестве прямых или накачивающих источников света. Эти лазеры не только широко применяются в лазерной обработке, медицинском лечении и технологиях отображения, но также имеют решающее значение в космической оптической связи, атмосферном зондировании, лидарах и распознавании целей. Мощные полупроводниковые лазеры играют ключевую роль в развитии нескольких высокотехнологичных отраслей промышленности и представляют собой стратегический конкурентный момент среди развитых стран.

 

Многопиковый полупроводниковый стекированный лазер с быстрой осевой коллимацией

В качестве основных источников накачки для твердотельных и волоконных лазеров полупроводниковые лазеры демонстрируют сдвиг длины волны в сторону красного спектра при повышении рабочей температуры, обычно на 0,2-0,3 нм/°C. Этот дрейф может привести к несоответствию между линиями излучения ЛД и линиями поглощения твердой усиливающей среды, что снижает коэффициент поглощения и значительно снижает выходную эффективность лазера. Обычно для охлаждения лазеров используются сложные системы контроля температуры, что увеличивает размер системы и энергопотребление. Чтобы удовлетворить требования к миниатюризации в таких приложениях, как автономное вождение, лазерная локация и ЛИДАР, наша компания представила серию многопиковых, охлаждаемых кондуктивно стекированных решеток LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1. За счет расширения количества линий излучения ЛД этот продукт поддерживает стабильное поглощение твердой усиливающей средой в широком диапазоне температур, снижая нагрузку на системы контроля температуры и уменьшая размер лазера и энергопотребление, обеспечивая при этом высокую выходную энергию. Используя передовые системы тестирования кристаллов без покрытия, вакуумную коалесценцию, технологию интерфейсных материалов и сплавления, а также управление переходными тепловыми процессами, наша компания может добиться точного многопикового управления, высокой эффективности, передового управления тепловыми процессами и гарантировать долгосрочную надежность и срок службы наших массивов продукции.

FAC лазерная диодная матрица новый продукт

Рисунок 1. Схема продукта LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1

Характеристики продукта

Управляемая многопиковая эмиссия В качестве источника накачки для твердотельных лазеров этот инновационный продукт был разработан для расширения стабильного диапазона рабочих температур и упрощения системы терморегулирования лазера на фоне тенденций к миниатюризации полупроводниковых лазеров. С нашей передовой системой тестирования кристаллов без покрытия мы можем точно выбирать длины волн и мощность кристаллов стержня, что позволяет контролировать диапазон длин волн продукта, интервал и несколько контролируемых пиков (≥2 пиков), что расширяет диапазон рабочих температур и стабилизирует поглощение накачки.

Рисунок 2 Спектрограмма продукта LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1

Рисунок 2 Спектрограмма продукта LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1

Сжатие по быстрой оси

Этот продукт использует микрооптические линзы для сжатия по быстрой оси, адаптируя угол расхождения по быстрой оси в соответствии с конкретными требованиями для повышения качества пучка. Наша система онлайн-коллимации по быстрой оси позволяет осуществлять мониторинг и регулировку в режиме реального времени во время процесса сжатия, гарантируя, что профиль пятна хорошо адаптируется к изменениям температуры окружающей среды с отклонением <12%.

Модульная конструкция

Этот продукт сочетает в себе точность и практичность в своей конструкции. Характеризуясь компактным, обтекаемым внешним видом, он обеспечивает высокую гибкость в практическом использовании. Его прочная, долговечная структура и высоконадежные компоненты обеспечивают долгосрочную стабильную работу. Модульная конструкция позволяет гибко настраивать под нужды клиентов, включая настройку длины волны, интервал излучения и компрессию, что делает продукт универсальным и надежным.

Технология терморегулирования

Для продукта LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1 мы используем материалы с высокой теплопроводностью, соответствующие КТР стержня, что обеспечивает однородность материала и превосходное рассеивание тепла. Методы конечных элементов используются для моделирования и расчета теплового поля устройства, эффективно объединяя переходные и стационарные тепловые симуляции для лучшего контроля температурных изменений.

Рисунок 3 Тепловое моделирование продукта LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1

Рисунок 3 Тепловое моделирование продукта LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1

Управление процессом Эта модель использует традиционную технологию сварки твердым припоем. Благодаря управлению процессом обеспечивается оптимальное рассеивание тепла в пределах установленного расстояния, что не только сохраняет функциональность продукта, но и обеспечивает его безопасность и долговечность.

Технические характеристики продукта

Продукт отличается контролируемыми многопиковыми длинами волн, компактным размером, малым весом, высокой эффективностью электрооптического преобразования, высокой надежностью и длительным сроком службы. Наш новейший многопиковый полупроводниковый стекированный массивный стержневой лазер, как многопиковый полупроводниковый лазер, гарантирует, что каждый пик длины волны четко виден. Его можно точно настроить в соответствии с конкретными потребностями клиента по требованиям к длине волны, расстоянию, количеству стержней и выходной мощности, демонстрируя его гибкие возможности конфигурации. Модульная конструкция адаптируется к широкому диапазону сред применения, а различные комбинации модулей могут удовлетворить различные потребности клиента.

 

Номер модели LM-8xx-Q4000-F-G20-P0.73-1
Технические характеристики единица ценить
Режим работы - QCW
Рабочая частота Hz 20
Ширина импульса us 200
Расстояние между барами mm 0.73
Пиковая мощность на бар W 200
Количество баров - 20
Центральная длина волны (при 25°C) nm А:798±2;Б:802±2;В:806±2;Г:810±2;Д:814±2;
Угол расхождения по быстрой оси (FWHM) ° 2-5 (типично)
Угол расхождения по медленной оси (FWHM) ° 8 (типично)
Режим поляризации - TE
Коэффициент температуры длины волны нм/°С ≤0,28
Рабочий ток A ≤220
Пороговый ток A ≤25
Рабочее напряжение/бар V ≤2
Эффективность наклона/бар В/Д ≥1.1
Эффективность преобразования % ≥55
Рабочая температура °С -45~70
Температура хранения °С -55~85
Продолжительность жизни (выстрелов) - ≥109

 

Габаритный чертеж внешнего вида изделия:

Габаритный чертеж внешнего вида изделия:

Габаритный чертеж внешнего вида изделия:

Типичные значения тестовых данных приведены ниже:

Типичные значения тестовых данных
Связанные новости
>> Сопутствующий контент

Время публикации: 10 мая 2024 г.